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第1 章諸論﹒低溫複晶矽的世代
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1.1 前言
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1.2 平面顯示器之分類
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1.3 低溫複晶矽開發歷史
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1.4 低溫複晶矽之優勢
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1.4.1 高解析度與高開口率
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1.4.2 電磁干擾
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1.4.3 周邊驅動IC
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1.4.4 低功率消耗
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1.4.5 窄框化與高積集度
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第2 章低溫複晶矽特性與結構
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2.1 前言
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2.2 LTPS 薄膜電晶體之特性
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2.2.1 特性曲線
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2.2.2 等效載子移動率
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2.2.3 臨界電壓
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2.2.4 次臨界擺幅
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2.2.5 漏電流
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2.3 低溫複晶矽畫素之結構
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2.3.1 八道光罩之下部間極流程
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2.3.2 九道光罩之上部間極流程
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2.3.3 五道光罩之上部間極流程
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2.3.4 內建電路架構
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第3 章低溫複晶矽之可靠度
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3.1 前言
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3.2 LTPS 元件可靠度
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3.2.1 熱載子效應
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3.2.2 動態可靠度測試
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3.2.3 短通道效應
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3.2.4 窄寬度效應
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3.2.5 駝峰效應
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3.2.6 扭曲效應
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3.2.7 自發熱效應
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3.2.8 低頻雜訊特性
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3.2.9 輻射效應
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3.3 LTPS 陣列可靠度
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3.3.1 靜電放電傷害
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3.3.2 環境與製程之ESD 防護
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3.3.3 陣列與內建電路之防護
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3.4 陣列測試
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3.4.1 接觸式測試
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3.4.2 非接觸式測試
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3.4.3 陣列修補
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第4 章LTPS 氧化層技術
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4.1 前言
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4.2 玻璃基板
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4.2.1 玻璃種類
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4.2.2 服璃特性
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4.3 緩衝層
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4.4 閘極界電層
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4.4.1 氧化矽層
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4.4.2 氫化矽層
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4.4.3 其他間極氧化層
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4.4.4 表面粗糙度
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4.4.5 潔淨技術
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4.5 層聞界電層
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4.5.1 上部透明導電電極結構
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4.5.2 平坦化製程
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4.5.3 氫化製程
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第5 章LTPS 複晶矽成膜技術
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5.1 前言
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5.2 直接沈積型複晶矽
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5.2.1 觸媒式化學氣相沈積
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5.2.2 矽j錯鰻製程
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5.3 再結晶型複晶矽
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5.3.1 固相結晶
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5.3.2 金屬引發側向結晶法.
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5.3.3 準分子雷射結晶
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5.4 雷射結晶系統
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5.4.1 準分子雷射源
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5.4.2 光學與基板承載系統
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5.5 複晶矽成膜機制
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5.5.1 部份融賠區
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5.5.2 接近完全融陷區
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5.5.3 完全融陷區
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5.6 結晶晶質提升
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5.6.1 重疊照射
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5.6.2 非晶矽厚度
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5.6.3 抗反射層
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5.6.4 結晶氣份與溫度
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5.6.5 分析工具
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5.7 下一代複晶矽技術.
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5.7.1 循序性側向結晶
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5.7.2 固態雷射結晶
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5.7.3 連續波雷射橫向結晶
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5.7.4 選擇性擴大雷射結晶
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5.7 .5 連續矽晶界
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第6 章LTPS 離子植入技術
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6.1 前言
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6.2 顯示器用植入系統
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6.2.1 質量分析式離子植入
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6.2.2 離子雲式植入機
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6.2.3 電聽植入與固態擴散式
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6.3 汲極與源極端慘雜
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6.3.1 氫含量因素
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6.3.2 反極性植入
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6.3.3 交互污染
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6.3.4 光阻碳化效應
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6.4 輕慘雜汲極端
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6.4.1 高能量植入
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6.4.2 低電流植入
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6.5 通道慘雜
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6.6 離子活化製程
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6.6.1 雷射活化法
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6.6.2 快速加熱活化法
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6.6.3 高溫熱爐管活化法與自我活化法
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第7 章低溫複晶矽面板開發現況
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7.1 前言
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7.2 日本低溫複晶矽之開發
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7.2.1 東芝(Toshiba)
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7. 2.2 松下(Matsushita)
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7.2.3 三洋(Sanyo)
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7.2.4 新力(Sony)
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7.2.5 夏普(Sharp)
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7.2.6 精工愛普生(Seiko-Epson)
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7.2.7 富士通(Fujitsu)
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7.2.8 日立(Hitachi)
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7.2.9 日本電器(NEC)
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7.2.10 三菱(Mitsubishi)
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7.3 韓國低溫複晶矽之開發
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7.3.1 LG-Philips
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7.3.2 Samsung
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7.4 台灣低溫複晶矽之開發
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第8 章低耗電顯示技術
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8.1 前言
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8.2 功率消耗
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8.3 薄膜二極體顯示器
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8.3.1 MIM 二極體的原理與結構
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8.3.2 TFD 二極體的原理與結構
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8.3.3 二極體面板的腫動方式
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8.4 反射式液晶顯示器
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8.4.1 反射板設計
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8.4.2 外部補償設計
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8.4.3 其他反射式顯示面板
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8.5 半透式液晶顯示器
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8.5.1 比例設計
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8.5.2 彩色濾光片設計
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8.5.3 背光與組裝模組
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8.6 省電設計
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8.6.1 內藏SRAM
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8.6.2 內藏DRAM
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第9 章大面積低溫複晶矽之挑戰
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9.1 前言
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9.2 大面積玻璃基板
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9.2.1 電阻﹒電容時間延遲
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9.2.2 無接縫技術
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9.3 前段陣列製程
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9.3.1 低阻值導線技術
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9.3.2 微影製程
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9.3.3 蝕刻製程
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9.4 後段液晶模組
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9.4.1 液晶滴下法
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9.4.2 整合式黑色矩陣
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9.4.3 整合式間隔體
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9.4.4 整合式彩色j曙光片
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9.4.5 背光模組
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9.4.6 廣視角
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9.5 畫面驅動系統
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9.5.1 Overdrive 驅動
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9.5.2 背光源驅動
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9.6 大面積主動式平面影像感測器
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9.6.1 數位X 光攝像技術.
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9.6.2 間接式檢測
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9.6.3 直接式檢測
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9.6.4 訊號儲存與讀取電路
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第10 章主動式有機電激發光顯示技術
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10.1 前言…
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10.2 AMOEL 的歷史
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10.3 AMOEL 驅動方式
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10.3.1 被動式OEL
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10.3.2 低溫種晶矽AMOEL
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10.3.3 非晶矽AMOEL
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10.3.4 單晶矽AMOE L
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10.4 AMOEL 彩色化與製造流程
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10.4.1 熱蒸鍍法
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10.4.2 旋轉塗佈法
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10.4.3 噴墨印刷法
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10.4.4 彩色j曙光片
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10.4.5 色轉換法
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10.5 陰陽電極特性
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10.5.1 陽極材質
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10.5.2 表面處理
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10.5.3 底層表面形態
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10.6 OEL 面板可靠性
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10.6.1 封裝按術
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10.6.2 乾燥材質
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10.7 有機發光二極體驅動設計
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10.7.1 下部發光型畫素
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10.7.2 上部發光型畫素
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10.7.3 類比驅動設計
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10.7.4 數位驅動設計
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第11 章可撓曲低溫複晶矽顯示技術
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11.1 前言
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11.2 玻璃基板之限制
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11.2.1 塑膠基板特性
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11.2.2 基板形變
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11.2.3 可撓曲之顯示媒介
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11.3 可撓由主動元件
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11.3.1 薄膜二極體
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11.3.2 非晶矽電晶體
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11.3.3 有機薄膜電晶體
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11.4 可撓曲之低溫複晶矽
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11.4.1 低溫儷衝層
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11.4.2 種晶矽形成
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11.4.3 低溫氧化層
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11.4.4 離子植入與活化
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11.4.5 低溫透明導電電極
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11.5 塑膠基板轉貼技術
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11.5.1 SUFTLA 轉貼技術
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11.5.2 基板蝕刻與塑膠貼合技術
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11.5.3 流動式自行組裝
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第12 章低溫複晶矽的未來
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12.1 低溫複晶矽技術藍圖
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12.2 低溫複晶矽之挑戰
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12.3 結語
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附錄
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- 出版地 ： 臺灣
- 語言 ： 繁體中文
評分與評論
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