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半導體製程入門:從零開始了解晶片製造

出版日期
2025/01/17
閱讀格式
PDF
書籍分類
學科分類
ISBN
9786264141086

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人類的欲望促使著科學技術的快速發展。今天,半導體已滲透我們的日常生活,成為智慧設備的核心技術,無論是手機、電腦還是汽車,皆與半導體密不可分。每次技術革新都會推動智慧設備需求的增長,進一步彰顯半導體的重要性。

全書共五章:

第1章
概述半導體的基本概念及製程的各個階段,幫助讀者理解半導體的定義、分類、材料發展及製程的前後分段。
第2章
著重講解前段製程,包括晶圓氧化、清洗、加工、微影、摻雜、蝕刻、沉積、快速熱處理等核心技術,系統地解釋各項工藝的操作步驟和設備。
第3章
則深入解析後段製程,如晶圓的測試、封裝、切割、植球及組裝等,並探討了半導體封裝的各類技術與趨勢。
第4章
分析了半導體行業的現狀、結構、原材料及設備的發展趨勢,提供產業視角。
第5章
匯總了常用的製程設備和專業術語,作為學習的補充工具。
本書透過理論與實踐相結合的方式,幫助讀者從基礎概念到具體操作全面理解半導體製造工藝,適合有志於進入半導體領域的初學者及相關從業者使用。
  • 前言
  • CHAPTER 1 半導體製程概論
    • 1.1 什麼是「半導體」
      • 1.1.1 從電流的角度看半導體
      • 1.1.2 「摻雜(Doping)」使絕緣材料變成導電材料
      • 1.1.3 四個表徵半導體的常數
      • 1.1.4 半導體的定義
      • 1.1.5 半導體分類
      • 1.1.6 半導體材料的迭代發展
      • 1.1.7 相關名詞的聯繫與區別
    • 1.2 半導體製程分段概述
      • 1.2.1 前段製程概要
      • 1.2.2 後段製程概要
  • CHAPTER 2 前段製程
    • 2.1 晶圓氧化(Oxidating)
      • 2.1.1 氧化的過程與目的
      • 2.1.2 熱氧化工藝的類別
      • 2.1.3 三個熱氧化隔離技術
      • 2.1.4 氧化裝置
    • 2.2 晶圓清洗
      • 2.2.1 各種汙染物的來源和相對的影響
      • 2.2.2 晶圓清洗的目的及步驟
      • 2.2.3 去除顆粒和汙染物的機理
      • 2.2.4 常用的晶圓清洗方法
      • 2.2.5 新興的清洗技術
    • 2.3 晶圓加工
      • 2.3.1 矽提純
      • 2.3.2 鑄錠(Ingot)
      • 2.3.3 錠切割成薄晶圓(Wafer Slicing)
      • 2.3.4 晶圓表面拋光
    • 2.4 微影(Photolithography)─ 四大製程1
      • 2.4.1 光阻劑(Photoresist)
      • 2.4.2 物鏡的分辨能力(鑑別率)
      • 2.4.3 光阻塗佈(Photoresist Coating)
      • 2.4.4 曝光(Esposure)
      • 2.4.5 曝光後烘烤(PEB)
      • 2.4.6 對準(Alignment)
      • 2.4.7 顯影
      • 2.4.8 硬烤(Hard Bake)
      • 2.4.9 光阻劑的剝離與灰化
    • 2.5 摻雜(Doping) ─ 四大製程2
      • 2.5.1 高溫熱擴散技術
      • 2.5.2 離子植入(Ion Implant)
      • 2.5.3 四個主流的摻雜技術
    • 2.6 蝕刻(Etching)─ ─四大製程3
      • 2.6.1 蝕刻工藝過程
      • 2.6.2 蝕刻工藝的重要參數
      • 2.6.3 蝕刻的發展變化
      • 2.6.4 濕式蝕刻(Wet Etching)
      • 2.6.5 乾式蝕刻(Dry Etching)
      • 2.6.6 蝕刻氣體與附加氣體
      • 2.6.7 多種蝕刻工藝
    • 2.7 乾燥(晶圓處理後的水洗、乾燥)
    • 2.8 沉積(Deposition) ─ 四大製程4
      • 2.8.1 化學氣相沉積(CVD)
      • 2.8.2 熱絲化學氣相沉積(Cat-CVD)
      • 2.8.3 原子層沉積(ALD)
      • 2.8.4 物理氣相沉積(PVD)
      • 2.8.5 外延工藝
      • 2.8.6 影響沉積的因素
    • 2.9 快速熱處理(RTP)
      • 2.9.1 快速熱處理的工藝原理
      • 2.9.2 快速熱退火(RTA)
      • 2.9.3 幾種主要的退火方式的比較
    • 2.10 前段製程中的重要製程實操
  • CHAPTER 3 後段製程
    • 3.1 測試
      • 3.1.1 測試種類
      • 3.1.2 晶圓測試內容
    • 3.2 封裝 ─ 概念、工藝等級
      • 3.2.1 半導體封裝的概念及作用
      • 3.2.2 半導體封裝工藝等級發展
      • 3.2.3 傳統封裝
      • 3.2.4 晶圓級封裝(WLP)類型
    • 3.3 封裝 ─ 背面研磨與晶圓貼膜
      • 3.3.1 背面研磨(Back Grinding)
      • 3.3.2 保護晶圓的貼膜(Tape Lamination)工藝
    • 3.4 封裝 ─ 晶圓切割
      • 3.4.1 晶圓切割過程
      • 3.4.2 晶圓切割機
      • 3.4.3 晶圓切割分類
      • 3.4.4 晶圓切割工藝的選擇
      • 3.4.5 晶圓切割關鍵工藝參數
    • 3.5 封裝 ─ 互連和植球
      • 3.5.1 凸點互連
      • 3.5.2 植球
    • 3.6 封裝 ─ 內部封裝與外部封裝
      • 3.6.1 半導體內部封裝類型(鍵合)
      • 3.6.2 半導體外部封裝類型和貼裝方法
    • 3.7 封裝 ─ 模塑
      • 3.7.1 密封法(Hermetic)
      • 3.7.2 模塑法(Molding)
    • 3.8 封裝 ─ 組裝前和出貨前的檢查
      • 3.8.1 組裝前晶圓檢查工程所使用的裝置範例
      • 3.8.2 預燒(IC 產品出貨前的封裝產品檢查製程預燒)
    • 3.9 封裝 ─ 半導體封裝的發展趨勢
    • 3.10 後段製程主要裝置
      • 3.10.1 球柵網格陣列封裝(BGA)封裝端子加工
      • 3.10.2 無接線鍵合中代表性的製造工藝
      • 3.10.3 3D 晶片堆疊封裝(晶片堆疊的高密度、高性能化)
  • CHAPTER 4 後段製程半導體行業發展趨勢
    • 4.1 半導體行業發展現狀
    • 4.2 半導體產業結構
    • 4.3 原材料環節
      • 4.3.1 常見的半導體原材料應用
      • 4.3.2 半導體材料的發展趨勢
    • 4.4 半導體設備環節
      • 4.4.1 晶圓製造設備
      • 4.4.2 封裝設備
      • 4.4.3 測試設備
  • CHAPTER 5 後段製程半導體製程裝置清單及專業術語匯總
    • 5.1 半導體製程裝置清單匯總
    • 5.2 專業術語匯總
  • 出版地 臺灣
  • 語言 繁體中文

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