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電子學(基礎概念)

出版日期
2025/03/03
閱讀格式
PDF
書籍分類
學科分類
ISBN
9786264011945

本館館藏

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本書由作者以多年教學經驗為基礎,透過淺顯易懂的文字與圖示編撰而成,幫助讀者輕鬆掌握電子學的重要觀念與公式。書中善用問答方式陳述,讓學習更具互動性,提升理解與記憶效果,並於每章設計學習流程圖與生活化短文,啟發學習興趣及確立學習目標。
內容精選重要定理與核心觀念,採用中、英語對照方式呈現,打造課堂雙語互動的基礎。此外,書中收錄豐富且經典的題型及各校入學考題,幫助讀者有效驗證學習成果。
全書分為「基礎概念」與「進階分析」兩冊,適用於大學及科大電子、電機、資工相關科系的「電子學」課程。
  • Chapter 1 微電子簡介
    • 1.1 電子與微電子
    • 1.2 微電子系統
      • 1.2.1 行動電話
      • 1.2.2 數位相機
    • 1.3 類比與數位
    • 1.4 基本定理回顧
      • 1.4.1 歐姆定理
      • 1.4.2 克希荷夫電流定律
      • 1.4.3 克希荷夫電壓定律
      • 1.4.4 戴維寧定理
      • 1.4.5 諾頓定理
    • 重點回顧
  • Chapter 2 半導體的基本特性
    • 2.1 半導體物質與其特性
      • 2.1.1 載子濃度的修正
      • 2.1.2 載子的傳輸
    • 2.2 pn接面
      • 2.2.1 平衡下的pn接面
      • 2.2.2 逆偏下的pn接面
      • 2.2.3 順偏下的pn接面
      • 2.2.4 I/V特性
    • 2.3 逆向崩潰
      • 2.3.1 齊納崩潰
      • 2.3.2 累增崩潰
    • 2.4 實例挑戰
    • 重點回顧
  • Chapter 3 二極體模型與其電路的介紹
    • 3.1 理想模型
    • 3.2 二極體的其他模型
    • 3.3 大訊號和小訊號的操作
    • 3.4 二極體的應用電路
      • 3.4.1 半波和全波整流器
      • 3.4.2 限制電路
      • 3.4.3 二極體當成位準移位器
    • 3.5 實例挑戰
    • 重點回顧
  • Chapter 4 雙極性接面電晶體的基本特性
    • 4.1 BJT的結構
    • 4.2 主動區──BJT做為放大器的操作區域
      • 4.2.1 端點電流
    • 4.3 BJT的模型與特性
      • 4.3.1 大訊號模型
      • 4.3.2 電流/電壓特性
      • 4.3.3 轉導
      • 4.3.4 小訊號模型
      • 4.3.5 厄利效應
    • 4.4 BJT操作在飽和區
    • 4.5 pnp電晶體
      • 4.5.1 大訊號模型和其電流公式
      • 4.5.2 小訊號模型
    • 4.6 實例挑戰
    • 重點回顧
  • Chapter 5 金氧半場效電晶體的基本特性
    • 5.1 MOSFET的結構
    • 5.2 n MOSFET的操作
      • 5.2.1 定性分析
      • 5.2.2 電流I/電壓V特性的推導
      • 5.2.3 通道長度調變
      • 5.2.4 MOS的轉導
      • 5.2.5 基體效應
    • 5.3 MOS元件的模型
      • 5.3.1 大訊號模型
      • 5.3.2 小訊號模型
    • 5.4 p MOS電晶體
    • 5.5 互補式金氧半場效電晶體技術
    • 5.6 BJT元件和MOS元件的比較
    • 5.7 實例挑戰
    • 重點回顧
  • Chapter 6 雙極性電晶體放大器
    • 6.1 一般性的考量
      • 6.1.1 輸入和輸出阻抗
      • 6.1.2 偏壓
      • 6.1.3 直流和小訊號分析
    • 6.2 操作點的分析
      • 6.2.1 簡單偏壓
      • 6.2.2 電阻分壓偏壓
      • 6.2.3 射極退化偏壓
      • 6.2.4 自我偏壓
      • 6.2.5 pnp型的偏壓
    • 6.3 BJT的放大組態
      • 6.3.1 共射極組態(CE組態)
      • 6.3.2 共基極組態(CB組態)
      • 6.3.3 共集極組態(CC組態)
    • 6.4 具偏壓的放大器組態
      • 6.4.1 偏壓共射極組態
      • 6.4.2 偏壓共基極組態
      • 6.4.3 偏壓射極隨耦器
    • 6.5 實例挑戰
    • 重點回顧
  • Chapter 7 金氧半場效電晶體放大器
    • 7.1 一般性的考量
      • 7.1.1 MOSFET放大器的組態
      • 7.1.2 直流偏壓
      • 7.1.3 電流源的實現
    • 7.2 共源極組態(CS組態)
      • 7.2.1 基本的CS組態
      • 7.2.2 具電流源負載之CS組態
      • 7.2.3 具二極體連接負載之CS組態
      • 7.2.4 具源極退化之CS組態
    • 7.3 共閘極組態(CG組態)
    • 7.4 共汲極組態(CD組態)
    • 7.5 具偏壓的放大器組態
      • 7.5.1 偏壓共源極組態
      • 7.5.2 偏壓共閘極組態
      • 7.5.3 偏壓源極隨耦器組態
    • 7.6 實例挑戰
    • 重點回顧
  • Chapter 8 運算放大器——當成一個元件使用
    • 8.1 一般性的觀念
    • 8.2 線性的運算放大器電路
      • 8.2.1 非反相放大器
      • 8.2.2 反相放大器
      • 8.2.3 積分器
      • 8.2.4 微分器
      • 8.2.5 電壓加法器
    • 8.3 非線性的運算放大器電路
      • 8.3.1 精密整流器
      • 8.3.2 對數放大器
      • 8.3.3 平方根電路
    • 8.4 運算放大器的非理想型
      • 8.4.1 直流補償
      • 8.4.2 輸入偏壓電流
      • 8.4.3 速度的限制
      • 8.4.4 有限的輸入和輸出阻抗
    • 8.5 實例挑戰
    • 重點回顧
  • Chapter A SPICE概論
    • A.1 電子元件的描述
      • A.1.1 電阻、電容和電感
      • A.1.2 電壓源
      • A.1.3 電流源
      • A.1.4 二極體
      • A.1.5 BJT電晶體
      • A.1.6 MOSFET電晶體
      • A.1.7 相依電源
      • A.1.8 初始值
    • A.2 模擬的步驟與程序
    • A.3 分析的型態
      • A.3.1 工作點的分析
      • A.3.2 直流分析
      • A.3.3 暫態分析
  • 索引
  • 習題演練
  • 出版地 臺灣
  • 語言 繁體中文

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