0人評分過此書
半導體製程設備技術
作者
：
出版日期
：
2017/12/25
閱讀格式
：
PDF
ISBN
：
9789571195131
半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silicon Wafer)基底材料(Substrate) 。
在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。
在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。
- 序
- 致謝
-
第○章 設備維修需具備的知識技能以及半導體導論篇
-
0.1 設備維修該有的認知及態度
-
0.2 設備安全標示的認識
-
0.2.1 設備安全標示的認識
-
0.2.2 個人防護裝備的認識
-
-
0.3 設備機電系統的定義及分類
-
類比控制系統
-
數位控制系統
-
-
0.4 設備控制系統
-
0.5 常見電路圖圖示認識
-
0.6 半導體導論
-
參考文獻
-
-
第一章 擴散設備（Diffusion）篇
-
1.1 爐管（Furnace）
-
1.1.1 爐管設備系統架構
-
1.1.2 爐管製程介紹
-
1.1.3 製程程序步驟（Recipe）介紹
-
1.1.4 經驗分享
-
-
1.2 離子植入（Ion Implant）
-
1.2.1 離子植入製程基礎原理
-
1.2.2 離子植入機設備系統簡介
-
1.2.3 離子植入製程在積體電路製程的簡介
-
1.2.4 離子植入製程後的監控與量測
-
1.2.5 離子植入機操作注意事項
-
1.2.6 離子植入製程問題討論與分析
-
-
參考文獻
-
-
第二章 濕式蝕刻與清潔設備（Wet Bench）篇
-
2.1 濕式清洗與蝕刻的目的及方法
-
2.1.1 濕式清洗的目的
-
2.1.2 濕式蝕刻的目的
-
2.1.3 污染物對半導體元件電性的影響
-
-
2.2 晶圓表面清潔與蝕刻技術
-
2.2.1 晶圓表面有機汙染（Organic Contamination）洗淨
-
2.2.2 晶圓表面原生氧化層的移除
-
2.2.3 晶圓表面洗淨清潔技術
-
2.2.4 晶圓表面濕式蝕刻技術
-
-
2.3 化學品供應系統
-
2.3.1 化學品分類
-
2.3.2 化學品供應系統
-
-
2.4 Wet Bench結構與循環系統
-
2.4.1 濕式蝕刻及清潔設備（Wet Bench）結構
-
2.4.2 濕式蝕刻及清洗設備（Wet Bench）傳動系統
-
2.4.3 循環系統與乾燥系統
-
-
參考文獻
-
-
第三章 薄膜設備（Thin Films）篇
-
3.1 電漿（Plasma）
-
3.1.1 電漿產生的原理
-
3.1.2 射頻電漿電源（RF Generator）的功率量測儀器
-
-
3.2 化學氣相沉積設備系統（Chemical Vapor Deposition, CVD）
-
3.2.0 簡介
-
3.2.1 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）
-
3.2.2 新穎化學氣相沉積系統與磊晶系統（ALD、MBE、MOCVD）
-
-
3.3 物理氣相沉積設備系統（Physical Vapor Deposition, PVD）
-
3.3.1 熱蒸鍍
-
3.3.2 電子束蒸鍍
-
3.3.3 濺鍍
-
-
參考文獻
-
-
第四章 乾式蝕刻設備（Dry Etcher）篇
-
4.0 前言
-
4.0.1 乾式蝕刻機（Dry Etcher）
-
4.0.2 蝕刻腔體設計概念（Design Factors）
-
-
4.1 各種乾式蝕刻腔體設備介紹
-
4.1.1 反應式離子蝕刻機（Reactive Ion Etcher, RIE）
-
4.1.2 三極式電容偶合蝕刻系統（Triode RIE）
-
4.1.3 磁場增進式平行板電極（Magnetically Enhance RIE, MERIE）
-
4.1.4 高密度電漿蝕刻腔體（High Density Plasma Reactors）
-
4.1.5 多極式磁場侷限式電漿（Magnetic Multipole Confinement, MMC）
-
4.1.6 電感應偶合電漿（Inductive Couple Plasma, ICP）
-
4.1.7 電子迴旋共振式電漿（Electron Cyclotron Resonance, ECR）
-
4.1.8 螺旋微波電漿源（Helicon Wave Plasma Source, HWP）
-
-
4.2 晶圓固定與控溫設備
-
4.3 終點偵測裝置（End Point Detectors）
-
4.4 乾式蝕刻製程（Dry Etching Processes）
-
4.4.1 乾式蝕刻與濕式蝕刻的比較
-
4.4.2 乾式蝕刻機制
-
4.4.3 活性離子蝕刻的微觀現象
-
4.4.4 各式製程蝕刻說明
-
-
4.5 總結
-
參考文獻
-
-
第五章 黃光微影設備（Photolithography）篇
-
5.1 前言
-
5.2 光阻塗佈及顯影系統（Track system : Coater / Developer）
-
5.2.1 光阻塗佈系統（Coater）
-
5.2.2 顯影系統（Developer）
-
-
5.3 曝光系統（Exposure System）
-
5.3.1 光學微影（Optical Lithography）
-
5.3.2 電子束微影（E-beam Lithography）
-
-
5.4 現在與未來
-
5.4.1 浸潤式微影（Immersion Lithography）
-
5.4.2 極紫外光微影（Extreme Ultraviolet Lithography）
-
5.4.3 多電子束微影（Multi-Beam Lithography）
-
-
5.5 工作安全提醒
-
參考文獻
-
-
第六章 研磨設備（Polishing）篇
-
6.1 前言
-
6.2 化學機械研磨系統（Chemical Mechanical Polishing, CMP）
-
6.2.1 研磨頭
-
6.2.2 研磨平臺
-
6.2.3 研磨漿料控制系統
-
6.2.4 清洗／其他
-
-
6.3 研磨漿料（Slurry）
-
6.4 化學機械研磨製程中常見的現象
-
6.5 化學機械研磨常用的化學品
-
參考文獻
-
-
第七章 IC製造概述篇
-
7.1 互補式金氧半電晶體製造流程（CMOS Process Flow）
-
前段製程（FEOL）
-
後段製程（BEOL）
-
-
7.2 CMOS閘極氧化層陷阱電荷介紹
-
四種基本及重要的電荷
-
高頻的電容對電壓特性曲線（C-V curve）
-
-
參考文獻
-
-
第八章 控制元件檢測及維修篇
-
8.1 簡介
-
8.2 維修工具的使用
-
8.2.1 一般性維修工具組
-
8.2.2 三用電表的使用
-
8.2.3 示波器（Oscilloscope）的使用
-
8.2.4 數位邏輯筆的使用
-
-
8.3 設備機台常見的控制元件與儀表控制器
-
8.3.1 電源供應器（Power Supply）
-
8.3.2 溫度控制器（Temperature Controller）
-
8.3.3 伺服與步進馬達（Servo and Stepping Motor）
-
8.3.4 質流控制器（Mass Flow Controller, MFC）
-
8.3.5 電磁閥（Solenoid Valve）
-
8.3.6 感測器（Sensor）
-
8.3.7 可程式邏輯控制器（PLC）
-
-
參考文獻
-
- 索引
評分與評論
請登入後再留言與評分
PDF
PDF
PDF
PDF
PDF
