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半導體製程概論

出版日期
2023/06/09
閱讀格式
PDF
書籍分類
學科分類
ISBN
9786263284579

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1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。
2.從矽導體之物理概念開始,一直到半導體結構、能帶作完整的解說,使讀者學習到全盤知識。
3.圖片清晰,使讀者一目瞭然更容易理解。
4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。 

全書分為五篇,第一篇(1~3章)探討半導體材料之基本特性,從矽半導體晶體結構開始,到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4~9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10~24章)說明積體電路的製程。第四篇(25~26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27~28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。
  • 前言 半導體與積體電路發展史
    • 0-1 半導體之緣起
    • 0-2 電晶體
    • 0-3 積體電路
    • 0-4 半導體製程
  • 第一篇 半導體材料與物理
    • CH1 晶體結構與矽半導體物理特性
      • 1-1 原子模型與週期表
      • 1-2 晶體結構
      • 1-3 物質導電性
      • 1-4 本質矽,質量作用定律
      • 1-5 摻雜質,負型和正型
    • CH2 半導體能帶與載子傳輸
      • 2-1 能帶
      • 2-2 電阻係數與薄片電阻
      • 2-3 載子傳輸
    • CH3 化合物半導體晶體結構與物理特性
      • 3-1 化合物半導體
      • 3-2 砷化鎵晶體結構與能帶
      • 3-3 氮化鎵晶體結構與能帶
      • 3-4 碳化矽晶體結構與能帶
      • 3-5 摻雜質,負型和正型
      • 3-6 砷化鎵、氮化鎵、碳化矽與矽特性比較
  • 第二篇 半導體元件
    • CH4 半導體基礎元件
      • 4-1 二極體
      • 4-2 雙載子電晶體
      • 4-3 金氧半場效電晶體
      • 4-4 互補型金氧半場效電晶體
      • 4-5 半導體記憶體
      • 4-6 電阻
      • 4-7 電容
      • 4-8 電感
    • CH5 接面能帶圖與費米能階
      • 5-1 狀態密度
      • 5-2 本質半導體費米分布函數
      • 5-3 摻雜半導體費米分布函數
      • 5-4 接面能帶圖與費米能階
    • CH6 積體電路製程與佈局
      • 6-1 雙載子電晶體製程技術
      • 6-2 金氧半場效電晶體製程技術
      • 6-3 電路與積體電路
      • 6-4 設計原則
      • 6-5 佈局
    • CH7 半導體元件縮小化與先進奈米元件
      • 7-1 金氧半場效電晶體之縮小化
      • 7-2 短通道效應
      • 7-3 SOI 場效電晶體
      • 7-4 奈米鰭式場效電晶體
      • 7-5 三維積體電路
    • CH8 高速與高功率元件
      • 8-1 砷化鎵金半場效電晶體
      • 8-2 砷化鎵高電子遷移率電晶體
      • 8-3 氮化鎵高電子遷移率電晶體
      • 8-4 碳化矽金氧半場效電晶體
    • CH9 半導體光電元件
      • 9-1 發光二極體
      • 9-2 有機發光二極體
      • 9-3 雷射二極體
      • 9-4 光感測器
      • 9-5 太陽電池
  • 第三篇 積體電路製程與設備
    • CH10 矽晶棒之生長
      • 10-1 原料配製
      • 10-2 矽晶棒生長
      • 10-3 晶體生長時摻雜質之分佈
      • 10-4 晶體缺陷
    • CH11 矽晶圓之製作
      • 11-1 晶體方向
      • 11-2 晶圓方向、切割和拋光
      • 11-3 十二吋晶圓效益分析
    • CH12 化合物半導體晶棒生長
      • 12-1 砷化鎵晶棒生長
      • 12-2 氮化鎵晶棒生長
      • 12-3 碳化矽晶棒生長
    • CH13 矽磊晶生長
      • 13-1 磊晶膜
      • 13-2 矽磊晶生長
      • 13-3 矽磊晶膜生長程序
    • CH14 矽磊晶系統
      • 14-1 矽磊晶系統
      • 14-2 矽磊晶生長系統之評估
    • CH15 化合物半導體磊晶生長
      • 15-1 砷化鎵磊晶生長
      • 15-2 氮化鎵磊晶生長
      • 15-3 碳化矽磊晶生長
    • CH16 矽氧化膜生長
      • 16-1 熱氧化爐
      • 16-2 矽氧化程序
      • 16-3 乾濕氧化與膜厚
      • 16-4 矽氧化膜厚度評估
      • 16-5 熱氧化時摻雜質之重行分佈
    • CH17 矽氧化膜生長機制
      • 17-1 二氧化矽與氧化
      • 17-2 氧化機制
      • 17-3 超薄氧化層
      • 17-4 氧化膜品質評估
      • 17-5 氧化膜品質改進方法
    • CH18 摻雜質之擴散植入
      • 18-1 擴散概念
      • 18-2 擴散過程
      • 18-3 擴散之分佈曲線
    • CH19 摻雜質之離子佈植
      • 19-1 離子佈植
      • 19-2 退火
      • 19-3 離子佈植在CMOS 積體電路製程上的應用
      • 19-4 離子佈植製程實務
    • CH20 微影技術
      • 20-1 微影蝕刻術
      • 20-2 光罩之製作
      • 20-3 光微影術
      • 20-4 解析增強微影術
      • 20-5 微影術之光源
    • CH21 蝕刻技術
      • 21-1 濕蝕刻
      • 21-2 乾蝕刻
    • CH22 化學氣相沉積
      • 22-1 化學氣相沉積概念
      • 22-2 化學氣相沉積流程
      • 22-3 低壓化學氣相沉積
      • 22-4 電漿化學氣相沉積
      • 22-5 光照化學氣相沉積
      • 22-6 原子層沉積
      • 22-7 液相沉積法
    • CH23 金屬接觸與沉積
      • 23-1 金屬化之要求
      • 23-2 真空沉積
      • 23-3 沉積技術
      • 23-4 真空沉積程序
      • 23-5 合金/退火
      • 23-6 金屬矽化物
      • 23-7 銅製程技術
    • CH24 積體電路封裝
      • 24-1 積體電路封裝
      • 24-2 封裝分類
      • 24-3 封裝流程
      • 24-4 三維封裝
  • 第四篇 積體電路故障與檢測
    • CH25 可靠度與功能性檢測
      • 25-1 可靠度基本概念
      • 25-2 可靠度檢測
      • 25-3 故障模型
      • 25-4 電磁干擾
      • 25-5 靜電效應
      • 25-6 電性可靠度檢測
      • 25-7 功能性檢測
    • CH26 材料特性檢測
      • 26-1 表面形態分析儀器
      • 26-2 晶體結構分析儀器
      • 26-3 組成分析儀器
  • 第五篇 製程潔淨控制與安全
    • CH27 製程潔淨控制與安全(一)
      • 27-1 潔淨程序
      • 27-2 水
      • 27-3 空氣/無塵室
      • 27-4 人員
      • 27-5 化學藥品
      • 27-6 氣體
    • CH28 製程潔淨控制與安全(二)
      • 28-1 高壓氣瓶
      • 28-2 壓力調節器
      • 28-3 吹淨
      • 28-4 洩漏偵測
      • 28-5 設備上應注意事項
      • 28-6 廢氣之排放
      • 28-7 緊急時應注意事項
  • 習題演練
  • 出版地 臺灣
  • 語言 繁體中文

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