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在神經系統模擬的研究上，有尖峰響應模型(Spike Response Model)來描述多神經系統動力學，有霍吉金-赫胥黎模型(Hodgkin–Huxley model)來描述單神經元及離子通道開關的動態變化，有菲茨休-南雲模型(FitzHugh-Nagumo model)來分析神經元的狀態演化，卻沒有任何一個模型可以用來描述離子通道這個層次的動力學。
離子通道的動力學之所以重要，是因為影響整個神經傳遞最基本的因素就只有離子的變化而已。但是過去的模型都用電阻來模擬離子通道，因此無法探討微觀中每個離
離子通道的動力學之所以重要，是因為影響整個神經傳遞最基本的因素就只有離子的變化而已。但是過去的模型都用電阻來模擬離子通道，因此無法探討微觀中每個離
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CHAPTER 1 INTRODUCTION
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1.1 NEURONAL DYNAMICS
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1.2 SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR
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1.3 THESIS OVERVIEW
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CHAPTER 2 SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR DYNAMICS
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2.1 THE MODEL OF SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR
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2.2 THE RELATION BETWEEN GATE VOLTAGE AND COUPLING STRENGTH
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CHAPTER 3 EQUATION OF MOTION
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3.1 RETARDED AND LESSER GREEN’S FUNCTIONS
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3.2 THE NUMBER AND CURRENT OPERATORS
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3.3 RESULT AND ANALYSIS
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CHAPTER 4 NEURONAL DYNAMICS
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4.1 NEURON CONDUCTION MECHANISM
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4.2 ACTION POTENTIAL
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4.3 HODGKIN-HUXLEY MODEL
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4.4 FITZHUGH-NAGUMO MODEL
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4.5 SPIKE RESPONSE MODEL
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4.6 SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR MODEL
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- CHAPTER 5 CONCLUSION
- CHAPTER 6 BIBLIOGRAPHY
- 出版地 ： 臺灣
- 語言 ： 英文
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