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無線通訊射頻晶片模組設計－射頻晶片篇
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第7 章 微波半導體元件與模型
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7．1 半導體物理概述
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7．2 二極體元件
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7．3 雙極性電晶體(Bipolar Junction Transistor，BJT)
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7．4 異質接面雙極性電晶體(Hetrojunction Bipolar Transistor，HBT)
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7．5 接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor， JFET)
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7．6 金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor ， MOSFET)
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7．7 金半場效電晶體(Metal-Semiconductor Field Effect Transistor ， MESFET)
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7．8 高速電子移動電晶體(High Electron Mobility Transistor ，HEMT)
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7．9 半導體參數測試及元件特性分析
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7．10 微波元件特性及模型
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第8 章 射頻放大器
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8．1 混成射頻放大器與單晶射頻放大器
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8．2 輸出與輸入功率的比值-增益
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8．3 訊號波流理論(Signal Flow Theory)
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8．4 穩定度分析
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8．5 消除不穩定的方法
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8．6 直流偏壓電路
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8．7 單向增益匹配
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8．8 雙向增益匹配
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8．9 功率匹配
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8．10 雜訊匹配
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8．11 設計實例
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第9 章 功率放大器與線性化技術
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9．1 功率放大器特性之概述
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9．2 功率放大器之類別
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9．3 克里普斯(Cripps)負載線法
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9．4 負載拉挽方法(Load-Pulling Method)
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9．5 回饋線性化技術
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9．6 前饋線性化(Feedforward Linearization)技術
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9．7 前置失真技術(Pre-Distortion)
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9．8 封包消弭與回復技術(Envelope Elimination and Restoration)
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9．9 功率放大器設計實例
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第10 章 振盪器
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10．1 簡介
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10．2 形成振盪的必要條件-小訊號負電阻分析法
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10．3 形成振盪的必要條件-小訊號迴授分析法
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10．4 形成振盪的必要條件-小訊號S 參數分析法[4]
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10．5 形成振盪的充份且必要條件-根軌跡法
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10．6 形成振盪的充份且必要條件-阻抗軌跡法
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10．7 穩定振盪功率-大訊號Y 參數分析法
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10．8 穩定振盪功率-大訊號S 參數分析法
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10．9 負載拉挽效應[11]
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10．10 注入鎖定效應[7]
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10．11 評估振盪器效能之各項參數
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10．12 設計實例
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第11 章 混頻器
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11．1 混頻器之發展與效能參數
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11．2 單端二極體混頻器
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11．3 單平衡二極體混頻器
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11．4 雙平衡二極體混頻器
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11．5 單閘極MESFET 混頻器
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11．6 雙閘極MESFET 混頻器
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11．7 平衡型MESFET 混頻器
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11．8 電阻型MESFET 混頻器
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11．9 單端MOSFET 混頻器
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11．10 平衡型MOSFET 混頻器
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11．11 電阻型MOSFET 混頻器
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11．12 平衡型BJT 混頻器
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11．13 次諧波驅動混頻器
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11．14 鏡像拒斥降頻器
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11．15 單邊帶升頻器
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- 附錄A 索引
- 出版地 ： 臺灣
- 語言 ： 繁體中文
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