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在構裝技術尚未完全進入3D TSV量產之前，FOWLP為目前最具發展潛力的新興技術。此技術起源於英飛凌(Infineon)在2001年所提出之嵌入式晶片扇出專利，後續於2006年發表技術文件後，環氧樹脂化合物(EMC)之嵌入式晶片，也稱作扇出型晶圓級構裝(FOWLP)，先後被應用於各種元件上，例如：基頻(Baseband)、射頻(RF)收發器和電源管理IC(PMIC)等。其中著名公司包括英飛凌、英特爾(Intel)、Marvell、展訊(Spreadtrum)、三星(Samsung)、LG、華為(Huawei)、摩托羅拉(Motorola)和諾基亞(Nokia)等，許多半導體外包構裝測試服務(OSATS)和代工廠(Foundry)，亦開發自己的嵌入式FOWLP，預測在未來幾年，FOWLP市場將有爆炸性之成長。有鑑於此，第三版特別新增第13章扇出型晶圓級(Fan-out WLP)構裝之基本製程與發展概況、第14章嵌入式扇出型晶圓級或面板級構裝(Embedded Fan-out WLP/PLP)技術，以及第15章 3D-IC導線連接技術之發展狀況。在最新第四版特別增加：第16章扇出型面版級封裝技術的演進，第17章3D-IC異質整合構裝技術。
本書適合於有志從事半導體製程研發、生產和應用之工程技術人員，以及產品推廣與技術行銷人員閱讀，也可作為電子、電機、光電、材枓、化工、機械、應用物理及應用化學等相關系所學習之參考用書。
本書適合於有志從事半導體製程研發、生產和應用之工程技術人員，以及產品推廣與技術行銷人員閱讀，也可作為電子、電機、光電、材枓、化工、機械、應用物理及應用化學等相關系所學習之參考用書。
- 推薦序一
- 推薦序二
- 致謝
- 序文
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第一章 微電子構裝技術概論
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1.前言
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2.電子構裝之基本步驟
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3.電子構裝之層級區分
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4.晶片構裝技術之演進
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5.參考資料
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第二章 覆晶構裝技術
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1.前言
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2.覆晶構裝技術（Flip Chip Technology）介紹
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3.其他各種覆晶構裝技術
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4.結論
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5.參考資料
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第三章 覆晶構裝之UBM結構及蝕刻技術
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1.前言
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2.UBM結構
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3.UBM濕式蝕刻製程及設備
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4.各種UBM金屬層之蝕刻方法及注意事項
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5.結論
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6.參考資料
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第四章 微電子系統整合技術之演進
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1.前言
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2.系統整合技術之演進
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3.電子數位整合之五大系統技術
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4.結論
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5.參考文獻
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第五章 3D-IC技術之發展趨勢
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1.前言
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2.構裝技術之演進
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3.TSV製作3D晶片堆疊的關鍵技術
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4.結論
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5.參考文獻
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第六章 TSV製程技術整合分析
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1.前言
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2.導孔的形成（Via Formation）
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3.導孔的填充（Via Filling）
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4.晶圓接合（Wafer Bonding）
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5.晶圓薄化（Wafer Thinning）
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6.發展3D系統整合之各種TSV技術
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7.結論
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8.參考文獻
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第七章 3D-IC製程之晶圓銅接合應用
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1.前言
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2.晶圓銅接合方式
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3.銅接合的基本性質（Fundamental Properties of Cu Bonding）
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4.銅接合的發展（Cu Bond Development）
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5.結論
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6.參考資料
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第八章 TSV銅電鍍製程與設備之技術整合分析
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1.前言
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2.TSV 銅電鍍設備（TSV Copper Electroplating Equipment）
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3.TSV銅電鍍製程（TSV Copper Electroplating Process）
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4.影響TSV導孔電鍍銅填充之因素（Factors Affecting Copper Plating）
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5.電鍍液之化學成分
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6.TSV 電鍍銅製程之需求
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7.結論
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8.參考文獻
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第九章 無電鍍鎳金在先進構裝技術上之發展
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1.前言
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2.無電鍍鎳金之應用介紹
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3.無電鍍鎳金製程問題探討
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4.無電鍍鎳製程
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5.無電鍍（化學鍍）金
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6.結論
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7.參考資料
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第十章 環保性無電鍍金技術於電子產業上之發展
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1.前言
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2.非氰化物鍍液（Non-cyanide Bath）的發展狀況
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3.結論
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4.參考文獻
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第十一章 無電鍍鈀（Electroless Plating Palladium）技術
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1.聯氨鍍液（Hydrazine-based Baths）
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2.次磷酸鹽鍍液（Hypophosphite Based Baths）
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3.使用其他還原劑之鍍液
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4.無電鍍鈀合金
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5.結論
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6.參考文獻
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第十二章 3D-IC晶圓接合技術
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1.前言
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2.晶圓對位製程（Wafer Alignment Process）
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3.晶圓接合製程（Wafer Bonding Process）
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4.結論
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5.參考文獻
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第十三章 扇出型晶圓級構裝（Fan-out WLP）之基本製程與發展方向
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1.前言
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2.Fan-out WLP基本製造流程
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3.Fan-out WLP之RCP與eWLP技術
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4.Fan-out WLP所面臨的挑戰
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5.完全鑄模（Fully Molded）Fan-out WLP技術
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6.Fan-out WLP的未來發展方向
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7.結論
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8.參考資料
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第十四章 嵌入式扇出型晶圓級或面版級構裝技術
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1.嵌入式晶片（Embedded Chips）
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2.FOWLP 的形成（Formation of FOWLP）
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3.RDL 製作方法（RDL Process）
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4.圓形或方形重新配置之載具的選擇
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5.介電材料
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6.膠體材料
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7.結論
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8.參考資料
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第十五章 3D-IC導線連接技術之發展狀況
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1.前言
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2.晶片對晶片（C2C）與晶片對晶圓（C2W）堆疊技術
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3.晶圓對晶圓（W2W）堆疊技術
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4.結論
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5.參考資料
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第十六章 扇出型面版級構裝技術的演進
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1.前言
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2.J-Devices的WFOP技術
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3.Fraunhofer的FOPLP技術
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4.SPIL的P-FO技術
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5.FOPLP技術必須克服的挑戰
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6.結論
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7.參考文獻
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第十七章 3D-IC異質整合構裝技術
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1.前言
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2.3D-IC異質整合技術
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3.3D-IC FOWLP的未來發展方向
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4.結論
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5.參考資料
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- 索引
- 出版地 ： 臺灣
- 語言 ： 繁體中文
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